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窒化アルミニウムセラミック基板
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12インチ窒化アルミニウムセラミック基板GaN-on-QST

Aluminum nitride ceramic GaN-on-QST
AlN ceramic on GaN-on-QST

12インチ窒化アルミニウムセラミック基板GaN-on-QST

1.材質: 窒化アルミニウム。

2.機能: 絶縁および放熱セラミック。

3.タイプ:セラミック。

4.色: グレー。

5.カスタマイズ可能:はい、特定の製品の図面を提供してください。

12インチ窒化アルミニウムセラミック基板GaN-on-QST

製品説明:

GaN-on-QSTは米国Qromis社が提供しており、シリコン基板や種結晶として利用できる。 2017年、同社はKyma Technologiesと協力して、QST基板技術に基づいた初の自立型GaN基板(4インチ)を製造した。 2020年1月、Qromisはトヨタ自動車株式会社から出資を受けました。 Qromisはこの技術をWorld Advancedと信越化学工業を含む2社にライセンス供与しており、両社とも今年エピタキシーとデバイスファウンドリの生産ペースを加速させている。

Qromis の自立型 GaN 基板には 3 つの大きな利点があるため、非常に楽観的です。 ● GaN デバイスの歩留まりは 90% に達する可能性があります。 ● 6 インチ基板と 8 インチ基板をリリースしており、2025 年には 12 インチ GaN 基板の生産を予定しています。

6インチおよび8インチの窒化アルミニウム(AlN)基板は福建華清の通常製品ですが、現在、GaN-on-QST製品の下地基板として使用できる12インチの窒化アルミニウム(AlN)セラミック基板を供給できるようになりました。

 

当社の窒化アルミニウム基板 (AlN) は、さまざまなサイズと厚さをご用意しています。豊富な在庫のおかげで、お客様がプロジェクトを開始できるよう、部品を迅速に発送することができます。

当社のサービス:
カスタマイズについてはお問い合わせください。最大230W/mKの熱伝導率を持つ窒化アルミニウム(AlN)セラミックも供給可能です

仕様:

寸法(長さ×幅)φ12インチ
厚さ 1.0mm
熱伝導率170W/m.K
誘電率8~9(MHz)
かさ密度3.3g/cm3
表面粗さRa:両面0.03~0.6μm

会社の利点:

華清 2004年に設立され、投資額は8,000万人民元、登録資本金は4,000万人民元です。 Huaqing の AlN および Al2O3 セラミック製品は、業界の他の工場と比較して、高い熱伝導率、低い誘電率、良好な誘電正接、優れた機械的特性を備えています。 AlN および Al2O3 セラミックは、HBLED、光通信、IGBT、パワーデバイス、TEC、その他のハイエンドアプリケーションで広く使用されています。

ワークショップと設備:

 

 

 

 

梱包と配送:
UPS、DHL、Fedexなどで配送します

 

 

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