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IGBTモジュールに使用されるActive Metal Brazing(AMB)セラミック基板

AMB Substrate

IGBTモジュールに使用されるActive Metal Brazing(AMB)セラミック基板

アクティブ メタル ブレージング (AMB) 基板は、高温でのセラミックとアクティブ メタル ソルダー ペースト間の化学反応に依存して接合を実現します。これにより、接合強度が向上し、信頼性が向上します。

製品詳細:

  1. 材質:窒化アルミニウム/アルミナ/ZTA/Si3N4。
  2. 関数:
  3. タイプ:
  4. カスタム可能: はい、特定の製品の図面を提供してください。

IGBTモジュールに使用されるActive Metal Brazing(AMB)セラミック基板

製品説明:

Active Metal Brazing(AMB) プロセスは、Direct Bonded Copper(DBC) プロセス技術をさらに発展させたものです。ろう材に含まれる微量の活性元素がセラミックスと反応し、液状のろう材が濡れる反応層を作り、セラミックスと金属を接合する方法です。

現在、パワーエレクトロニクス技術の急速な発展に伴い、主要材料であるセラミック銅張りパネルのIGBTモジュールパッケージング上の高速レール上の高出力デバイス制御モジュールが大きな需要を形成しており、特にAMB基板は徐々に主流のアプリケーションになっています。 .

amb igbt 的图像结果

当社の窒化アルミニウム (AlN) 基板は、さまざまなサイズと厚さで入手できます。大量の在庫があるおかげで、プロジェクトを開始するためにパーツを迅速に発送できます。

当社のサービス:

カスタマイズについてはお問い合わせください。

仕様:

銅/セラミック/銅仕様(mm)
AlN-AMB0.30/0.38/0.300.30/0.64/0.30
Si3N4-AMB0.25/0.32/0.250.30/0.32/0.300.80/0.32/0.801.20/0.32/1.20
ZTA-AMB0.30/0.32/0.300.40/0.32/0.40

会社の利点:

Huaqing は 2004 年に設立され、総投資額は 8000 万元、登録資本金は 4000 万元です。 Huaqing の AlN & Al2O3 セラミック製品は、業界の他の工場と比較して、高い熱伝導率、低い誘電率、優れた散逸率、および優れた機械的特性を備えています。 AlN および Al2O3 セラミックは、HBLED、光通信、IGBT、パワー デバイス、TEC、およびその他のハイエンド アプリケーションで広く使用されています。

研修会及び装置:

パッケージ & 配信:

UPS、DHL、Fedexなどでお届けします。

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