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パワーモジュール用AMBセラミック基板

AlN Ceramic AMB substrate

パワーモジュール用AMBセラミック基板

AMB (Active Metal Brazing Substrate) は、DBC 技術をさらに発展させたものです。溶加材に含まれる微量のTiやZrなどの活性元素がセラミックスと反応し、液体はんだが濡れる反応層を形成し、セラミックスと金属の接合を実現する方法です。 AMBは、セラミックと活性金属はんだが高温で化学反応を起こして結合するため、接合強度が高く、信頼性に優れています。

1.Material: 窒化アルミニウム/アルミナ/ZTA/Si3N4.

2.機能:断熱および放熱セラミックス。

3.タイプ:金属化セラミック。

4. カスタム可能: はい、特定の製品の図面を提供してください。

パワーモジュール用AMBセラミック基板

製品説明:

AMB セラミックス基板は、より高い接合強度と低温および熱サイクル特性を備えており、ハイパワー半導体モジュール、高周波スイッチ、風力発電、新エネルギー車、動力機関車、航空宇宙などの用途で進歩を遂げています。

当社のサービス:
カスタマイズについてはお問い合わせください。また、熱伝導率が最大 230W/mK の窒化アルミニウム (AlN) セラミックも供給できます。

仕様:

銅/セラミック/銅仕様(mm)
AlN-AMB0.30/0.38/0.300.30/0.64/0.30
Si3N4-AMB0.25/0.32/0.250.30/0.32/0.300.80/0.32/0.801.20/0.32/1.20
ZTA-AMB0.30/0.32/0.300.40/0.32/0.40

会社の利点:

Huaqing は 2004 年に設立され、総投資額は 8000 万元、登録資本金は 4000 万元です。 Huaqing の AlN & Al2O3 セラミック製品は、業界の他の工場と比較して、高い熱伝導率、低い誘電率、優れた散逸率、および優れた機械的特性を備えています。 AlN および Al2O3 セラミックは、HBLED、光通信、IGBT、パワー デバイス、TEC、およびその他のハイエンド アプリケーションで広く使用されています。

研修会及び装置:

梱包と配送:
UPS、DHL、Fedexなどで配達

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