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310 * 310 * 1.0mmの 熱伝導性窒化アルミニウムセラミック 半導体用12インチGaN-on-QST基板としてご利用いただけます。
GaN-on-QST,QSTとは「Qromis Substrate Technology」の略で、GaNエピタキシー用の基板で、GaNの熱膨張係数に似た性質を持っています。下地の基板がGaN-on-QST 窒化アルミニウムセラミックシート .
以下は、GaN/Si と GaN/QST 基板の対比です。QST 基板にはより多くの利点があり、コストは GaN/Si 基板よりも低くなっています。
近い将来、GaN/QST AlNセラミック 下にある基板は、新しい素晴らしいアプリケーションになります。
私たちのサービスが必要な理由は、プロジェクトが適切に行われ、機能することを確認するための専門知識と経験を持つ、高度な資格を持つ専門家を獲得していることを知っているからです。
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