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310 * 310 * 1.0mm を生産しました。 熱伝導率窒化アルミニウムセラミック 半導体12インチGaN-on-QST基板として使用できます。
GaN-on-QST,QSTとは「Qromis基板技術」の略称で、GaNエピタキシー用基板のことで、GaNの熱膨張係数に似た性質を持った基板です。 窒化アルミニウムセラミックシート .
以下はGaN/SiとGaN/QST基板のコントラストです。QST基板はGaN/Si基板よりも多くの利点があり、コストが低いです。
近い将来、GaN/QST AlNセラミック 基礎となる基板は新しい素晴らしい用途となるでしょう。
私たちのサービスが必要な理由は、プロジェクトが適切に行われ、機能することを確認するための専門知識と経験を持つ、高度な資格を持つ専門家を獲得していることを知っているからです。
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